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中国芯片是否可以弯道超车_科技频道_东方资讯

发布日期:2020-06-01 05:57   来源:未知   阅读:

中国芯是近一两年的热话题了,尤其是在中兴事件后美国又再次向华为伸手,让我国人民感到除了科技的自我研发一条路外已别无选择。而芯片的制造非常复杂,一款芯片的制作的过程要包括设计并涉及到制作晶圆、晶圆涂膜、晶圆光刻显影、离子注入等过程。这仅仅是过程,还不包括芯片的材料,设备,如果将光刻机、光刻胶、蚀刻机等等包含在内,复杂制作难度还会成倍上升。

大家都知道,目前的芯片技术是基于硅材料,而中国在这方面是比较落后的,不论是设计还是制作晶圆、晶圆涂膜、晶圆光刻显影、离子注入等,而且设备也严重不足。而从近年来看芯片的自给率不足20%,这也就是说我国只要涉及芯片类的大部分机器或者智能系统都在受制于人。

中国要想在芯片行业弯道超车必须要投入大量的专业技术人才和专项资金。而我国从15日“中芯控股与国家集成电路基金等多方订立新合资合同及新增资扩股协议,国家集成电路基金II及上海集成电路基金II同意分别注资15亿美元及7.5亿美元予中芯南方注册资本来看已经注入了大量的资金并以每年成倍的趋势来发展。

再到22日全球第二大内存品牌威刚科技宣布在中国市场推出采用合肥长鑫DDR4内存芯片的内存条,这也预示着芯片专业技术人才我国也在大量的增加。

当然,我国的努力远远不止这些,5月26日,北京元芯碳基集成电路研究院宣布,由该院中国科学院院士北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队,经过多年研究与实践,解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈,如材料的纯度、密度与面积问题。这项成果一直是发达国家一直研发预替代硅基的新技术,这也预示着这项成果摆脱了西方国家硅技术的封锁,也正给了我国一次弯道超车的机会。

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